- Nr art. RS:
- 165-5994
- Nr części producenta:
- SIZ340DT-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 165-5994
- Nr części producenta:
- SIZ340DT-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- TW
Szczegółowe dane produktu
Podwójny N-Channel MOSFET PowerPAIR®, Vishay Semiconductor
Tranzystory MOSFET o dużej i małej mocy w jednej, kompaktowej obudowie, wciąż pobierając niską rezystancję i wysokie natężenie prądu porównywalne z dwoma dyskretnymi.
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 30 A, 40 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
Typ opakowania | PowerPAIR |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 8 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 7 miliomów, 13,7 miliomów |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
Maksymalna strata mocy | 16,7 W, 31 W |
Konfiguracja tranzystora | Szereg |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -16 V, +20 V |
Liczba elementów na układ | 2 |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 12,3 nC przy 10 V, 22,6 nC przy 10 V |
Długość | 3.1mm |
Materiał tranzystora | Si |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Szerokość | 3.1mm |
Seria | PowerPAIR |
Wysokość | 0.75mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 165-5994
- Nr części producenta:
- SIZ340DT-T1-GE3
- Producent:
- Vishay