MPN
Elektronika, zasilacze i złącza
Elektryka, automatyka i kable
Artykuły mechaniczne i narzędzia
Urządzenia informatyczne, pomiarowe i bezpieczeństwa

MOSFET N-kanałowy FQB19N20LTM 200 V 21 A 3-Pin D2PAK (TO-263) SMD QFET Pojedynczy Si

Nr art. RS:
166-1750
Nr części producenta:
FQB19N20LTM
Producent:
onsemi
onsemi

Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Add to Basket
Sztuki

Dodano do koszyka

Cena za szt. (800 na rolce)

3,02 zł

(bez VAT)

3,71 zł

(z VAT)

SztukiPer unitPer Reel*
800 +3,02 zł2 412,00 zł
*cena za opakowanie
Nr art. RS:
166-1750
Nr części producenta:
FQB19N20LTM
Producent:
onsemi
Kraj pochodzenia:
MY

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:
MY

Szczegółowe dane produktu

QFET® N-Channel MOSFET, 11A do 30A, Fairchild Semiconductor




Dane techniczne

AtrybutParametr
Typ kanałuN
Maksymalny ciągły prąd drenu21 A
Maksymalne napięcie dren-źródło200 V
Typ opakowaniaD2PAK (TO-263)
Typ montażuMontaż powierzchniowy
Liczba styków3
Maksymalna rezystancja dren-źródło140 mΩ
Tryb kanałowyRozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS1V
Maksymalna strata mocy3,13 W
Konfiguracja tranzystoraPojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło-20 V, +20 V
Liczba elementów na układ1
Minimalna temperatura robocza-55°C
Maksymalna temperatura robocza+150°C
Materiał tranzystoraSi
Długość10.67mm
Wysokość4.83mm
Szerokość9.65mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs27 nC przy 5 V
SeriaQFET
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Add to Basket
Sztuki

Dodano do koszyka

Cena za szt. (800 na rolce)

3,02 zł

(bez VAT)

3,71 zł

(z VAT)

SztukiPer unitPer Reel*
800 +3,02 zł2 412,00 zł
*cena za opakowanie