MOSFET N-kanałowy 52 A DPAK (TO-252) 40 V SMD Pojedynczy 43 W 13,6 milioma
- Nr art. RS:
- 166-2468
- Nr części producenta:
- FDD8647L
- Producent:
- onsemi
7500 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2500 na rolce)
2,27 zł
(bez VAT)
2,79 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 2500 + | 2,27 zł | 5 677,50 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 166-2468
- Nr części producenta:
- FDD8647L
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
PowerTrench® N-Channel MOSFET, od 20A do 59.9A, Fairchild Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 52 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Seria | PowerTrench |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 13,6 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 43 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 6.22mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 6.73mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 20 nC przy 10 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 2.39mm |
- Nr art. RS:
- 166-2468
- Nr części producenta:
- FDD8647L
- Producent:
- onsemi