MOSFET P-kanałowy FDS6675BZ 30 V 11 A 8-Pin SOIC SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: MY
Szczegółowe dane produktu

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 11 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 13 mΩ
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -25 V, +25 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Kategoria MOSFET zasilania
Maksymalna strata mocy 2,5 W
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 1855 pF przy 15 V
Seria PowerTrench
Długość 5mm
Liczba elementów na układ 1
Minimalna temperatura robocza -55°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 44 nC przy 10 V
Szerokość 4mm
Typowy czas opóźnienia włączenia 3 ns
Wysokość 1.5mm
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 120 ns
Wymiary 5 x 4 x 1.5mm
Materiał tranzystora Si
7500 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (2500 na rolce)
Było 4 680,04 zł
1,26
(bez VAT)
1,55
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
2500 +
1,26 zł
3 155,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa