MOSFET P-kanałowy FDC658AP 30 V 4 A 6-Pin SOT-23 SMD PowerTrench Pojedynczy Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: PH
Szczegółowe dane produktu

PowerTrench® P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor

Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET tworzą ekranowaną strukturę, która zapewnia równowagę opłat. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż poprzednich generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® pozwala wyeliminować obwody tabakowe lub zastąpić wyższy stopień napięcia MOSFET.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Typ opakowania SOT-23
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 6
Maksymalna rezystancja dren-źródło 75 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalna strata mocy 1,6 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -25 V, +25 V
Liczba elementów na układ 1
Wysokość 1mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 6 nC przy 5 V
Szerokość 1.7mm
Materiał tranzystora Si
Długość 3mm
Seria PowerTrench
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Minimalna temperatura robocza -55°C
15000 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (3000 na rolce)
0,53
(bez VAT)
0,65
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Reel*
3000 +
0,53 zł
1 593,00 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa