MOSFET N-kanałowy 53 A SOT-227 800 V Montaż na śrubie Pojedynczy 1,04 kW 140 miliomów
- Nr art. RS:
- 168-4494
- Nr części producenta:
- IXFN60N80P
- Producent:
- IXYS
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena netto za szt. (w tubie á 10)
168,81 zł
(bez VAT)
207,64 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę | Per Tube* |
|---|---|---|
| 10 + | 168,81 zł | 1 688,13 zł |
*cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 168-4494
- Nr części producenta:
- IXFN60N80P
- Producent:
- IXYS
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-kanałowy MOSFET, IXYS Seria HiperFET™ Polar™
Tranzystory N-kanałowe Power MOSFET z szybką diodą intrincyjną (HiPerFET™) firmy IXYS
.
Tranzystory MOSFET, IXYS
Szeroka gama Advanced dyskretnych urządzeń zasilających MOSFET firmy IXYS
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 53 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 800 V |
| Typ opakowania | SOT-227 |
| Seria | HiperFET, Polar |
| Typ montażu | Montaż na śrubie |
| Liczba styków | 4 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 140 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
| Maksymalna strata mocy | 1,04 kW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 250 nC przy 10 V |
| Długość | 38.23mm |
| Szerokość | 25.42mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 9.6mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |