MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247-4 1000 V 113,5 W 90 miliomów

Nr art. RS:: 168-4886
Nr części producenta:: C3M0065100K
Producent:: Wolfspeed

MOSFET N-kanałowy 35 A TO-247-4 1000 V 113,5 W 90 miliomów

Zobacz kategorię

1770 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Zobacz koszyk

Cena netto za szt. (w tubie á 30)

73,76 zł

(bez VAT)

90,72 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Per Tube*
30 +	73,76 zł	2 212,74 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 168-4886
Nr części producenta:: C3M0065100K
Producent:: Wolfspeed

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: CN

Szczegółowe dane produktu

Tranzystor MOSFET z technologią Carbide silicon, seria C3M, Cree Inc.

Nowa technologia MOSFET C3M SiC (SiC) Silicon Carbide
Minimum 1000 V Napięcie przebicia źródła w całym zakresie temperatur pracy
Nowy pakiet niskiej impedancji ze źródłem sterownika
8 mm przesączenia/szczeliny pomiędzy Odlewem i źródłem
Szybkie przełączanie z niską pojemnością wyjściową
Wysokie napięcie blokujące przy niskiej odporności na skalanie
Odporność lawinowy
Szybka dioda wewnętrzna z niskim odzyskiwaniem do tyłu

.

Tranzystory MOSFET, Cree Inc.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	35 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	1000 V
Typ opakowania	TO-247-4
Seria	C3M
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	4
Maksymalna rezystancja dren-źródło	90 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	3.5V
Minimalne napięcie progowe VGS	1.8V
Maksymalna strata mocy	113,5 W
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-8 V, +19 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	35 nC przy 15 V; 35 nC przy 4 V
Liczba elementów na układ	1
Długość	16.13mm
Szerokość	5.21mm
Materiał tranzystora	SiC
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	23.6mm
Napięcie przewodzenia diody	4.8V

Nr art. RS:: 168-4886
Nr części producenta:: C3M0065100K
Producent:: Wolfspeed