MOSFET N-kanałowy 53 A ISOTOP 500 V Montaż na śrubie Pojedynczy 460 W 80 miliomów
- Nr art. RS:
- 168-6097
- Nr części producenta:
- STE53NC50
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 14.08.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 10)
156,92 zł
(bez VAT)
193,01 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 10 + | 156,92 zł | 1 569,15 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-6097
- Nr części producenta:
- STE53NC50
- Producent:
- STMicroelectronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V do 650V, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 53 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 500 V |
| Seria | MDmesh, SuperMESH |
| Typ opakowania | ISOTOP |
| Typ montażu | Montaż na śrubie |
| Liczba styków | 4 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 80 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 460 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Szerokość | 25.5mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 38.2mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 310 nC przy 10 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Minimalna temperatura robocza | -65°C |
| Wysokość | 9.1mm |
- Nr art. RS:
- 168-6097
- Nr części producenta:
- STE53NC50
- Producent:
- STMicroelectronics