MOSFET N-kanałowy 10 A TO-220 600 V Pojedynczy 70 W 550 miliomów
- Nr art. RS:
- 168-7484
- Nr części producenta:
- STP10NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics
1000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
2,46 zł
(bez VAT)
3,03 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 + | 2,46 zł | 123,05 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-7484
- Nr części producenta:
- STP10NM60N
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 10 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Seria | MDmesh |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 550 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 70 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -25 V, +25 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.6mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 19 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 10.4mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 15.75mm |