MOSFET N-kanałowy 9 A TO-3PN 900 V Pojedynczy 250 W 1,3 oma
- Nr art. RS:
- 168-7789
- Nr części producenta:
- TK9J90E
- Producent:
- Toshiba
150 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Cena netto za szt. (w tubie á 25)
13,51 zł
(bez VAT)
16,62 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 25 + | 13,51 zł | 337,85 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-7789
- Nr części producenta:
- TK9J90E
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-channel, seria TK8 i TK9, Toshiba
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 9 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 900 V |
| Typ opakowania | TO-3PN |
| Seria | TK |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1,3 oma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Maksymalna strata mocy | 250 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Szerokość | 4.5mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 15.5mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 46 nC przy 10 V |
| Wysokość | 20mm |
- Nr art. RS:
- 168-7789
- Nr części producenta:
- TK9J90E
- Producent:
- Toshiba