MOSFET N-kanałowy 72 A TO-220 120 V Pojedynczy 225 W 4,4 milioma
- Nr art. RS:
- 168-7995
- Nr części producenta:
- TK72E12N1,S1X(S
- Producent:
- Toshiba
300 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
8,16 zł
(bez VAT)
10,04 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 200 | 8,16 zł | 408,15 zł |
| 250 - 450 | 7,95 zł | 397,70 zł |
| 500 + | 7,76 zł | 387,80 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 168-7995
- Nr części producenta:
- TK72E12N1,S1X(S
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, seria TK6 i TK7, Toshiba
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 72 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 120 V |
| Seria | TK |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 4,4 milioma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Maksymalna strata mocy | 225 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 10.16mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.45mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 130 nC przy 10 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Wysokość | 15.1mm |
- Nr art. RS:
- 168-7995
- Nr części producenta:
- TK72E12N1,S1X(S
- Producent:
- Toshiba