MOSFET N-kanałowy 11,3 A TDSON 200 V SMD Pojedynczy 50 W 125 miliomów
- Nr art. RS:
- 171-1952
- Nr części producenta:
- BSC12DN20NS3GATMA1
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Cena netto za szt. (opak. á 10)**
4,93 zł
(bez VAT)
6,06 zł
(z VAT)
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 01.05.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie** |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 4,93 zł | 49,28 zł |
| 50 - 90 | 4,69 zł | 46,85 zł |
| 100 - 240 | 4,21 zł | 42,12 zł |
| 250 - 490 | 3,79 zł | 37,89 zł |
| 500 + | 3,61 zł | 36,09 zł |
**cena za opakowanie
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 11,3 A TDSON 200 V SMD Pojedynczy 50 W 125 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 36 A TDSON 200 V SMD Pojedynczy 125 W 32 miliomy
- MOSFET N-kanałowy 24 A TDSON 200 V SMD Pojedynczy 96 W 50 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 100 A TDSON 40 V SMD Pojedynczy 125 W 1,9 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 25 A TDSON 250 V SMD Pojedynczy 125 W 60 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 155 W 90 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 7 A TDSON 200 V SMD Pojedynczy 34 W 225 miliomów
- MOSFET N-kanałowy 11,3 A PG-TSDSON-8 200 V SMD