MOSFET N-kanałowy 100 A TDSON 40 V SMD Pojedynczy 96 W 1,9 miliomów

Nowe rodziny produktów 40 V i 60 V oferują nie tylko najniższą w branży wartość R DS(wł.), ale także doskonałe przełączanie w zastosowaniach szybkiego przełączania. 15% niższa wartość R DS(wł.) i 31% niższy parametr kluczowy (R DS(wł.) x Q g) w stosunku do urządzeń alternatywnych zostały osiągnięte dzięki zaawansowanej technologii cienkich płytek. Nowe rodziny produktów 40 V i 60 V oferują nie tylko najniższą w branży wartość R DS(wł.), ale także doskonałe przełączanie w zastosowaniach szybkiego przełączania. 15% niższa wartość R DS(wł.) i 31% niższy parametr kluczowy (R DS(wł.) x Q g) w stosunku do urządzeń alternatywnych zostały osiągnięte dzięki zaawansowanej technologii cienkich płytek

Zoptymalizowane do prostowania synchronicznego
15% niższa wartość R DS(wł.) niż w urządzeniach alternatywnych
31% lepsza wartość FOM niż w podobnych urządzeniach
Zintegrowana dioda Schottky’ego
Nie zawiera halogenów
Zalety:
Najwyższa sprawność systemu
Zmniejszone wymagane szeregowanie
Zwiększona gęstość mocy
Redukcja kosztów układów
Bardzo niskie przeregulowanie napięcia
Zastosowania docelowe:
Synchroniczna funkcja prostowania
Mikrofalownik solarny
Przetwornice DC-DC z izolacją
Sterowanie silnikiem
Przełączniki Or