- Nr art. RS:
- 173-2857
- Nr części producenta:
- TK12P60W,RVQ(S
- Producent:
- Toshiba
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 22.10.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (2000 na rolce)
6,44 zł
(bez VAT)
7,92 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Reel* |
2000 + | 6,44 zł | 12 878,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 173-2857
- Nr części producenta:
- TK12P60W,RVQ(S
- Producent:
- Toshiba
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
.
Tranzystory MOSFET, Toshiba
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 11,5 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
Seria | TK |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 340 miliomów |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.7V |
Maksymalna strata mocy | 100 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Szerokość | 6.1mm |
Materiał tranzystora | Si |
Długość | 6.6mm |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 25 nC przy 10 V |
Liczba elementów na układ | 1 |
Wysokość | 2.3mm |
- Nr art. RS:
- 173-2857
- Nr części producenta:
- TK12P60W,RVQ(S
- Producent:
- Toshiba