MOSFET N-kanałowy 350 mA TO-92 60 V Pojedynczy 1 W 4,5 oma
- Nr art. RS:
- 177-9689
- Nr części producenta:
- TN0106N3-G
- Producent:
- Microchip
Wysyłka standardowa
Ten produkt jest niedostępny.
Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w opak. á 1000)
3,60 zł
(bez VAT)
4,42 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Bag* |
| 1000 + | 3,60 zł | 3 595,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 177-9689
- Nr części producenta:
- TN0106N3-G
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- US
Szczegółowe dane produktu
Microchip Technology MOSF
MOSFET Microchip Technology do montażu przelotowego to nowy produkt w nowej epoce, o rezystancji źródła sygnału 3 omy przy napięciu wyjściowym 10 V. Posiada on napięcie źródła sygnału spustu 60 V i maksymalne napięcie źródła sygnału 20 V. Prąd spustu ciągłego wynosi 350 mA, a maksymalne rozpraszanie energii 1 W. Napięcie minimalne i maksymalne dla tego MOSFET wynosi odpowiednio 4,5 V i 10 V. MOSFET to tranzystor (zwykle wyłączony) wykorzystujący pionową strukturę DMOS i sprawdzony proces produkcji bramki silikonowej. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwościach tranzystorów bipolarnych oraz o wysokiej impedancji wejściowej i dodatnim współczynniku temperatury charakterystycznym dla układów MOS. Istotne cechy wszystkich struktur MOS sprawiają, że urządzenie to jest wolne od usterek cieplnych i wtórnych wywołanych termicznie. Ten pionowy układ DMOS FET został zoptymalizowany pod kątem zmniejszenia strat związanych z przełączaniem i przewodzeniem. MOSFET to znakomita wydajność oraz długi i wydajny okres eksploatacji bez utraty wydajności lub funkcjonalności.
Charakterystyka i zalety
• Ułatwienie do pracy równoległej
• Doskonała stabilność termiczna
• Wolne od podziału wtórnego
• Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
• Zintegrowana dioda spustu źródła
• Niski CISS i szybkie przełączanie
• Niskie zapotrzebowanie na napęd
• Zakres temperatury pracy od -55°C do 150°C.
• Doskonała stabilność termiczna
• Wolne od podziału wtórnego
• Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
• Zintegrowana dioda spustu źródła
• Niski CISS i szybkie przełączanie
• Niskie zapotrzebowanie na napęd
• Zakres temperatury pracy od -55°C do 150°C.
Zastosowania
• Przełączniki analogowe
• Systemy zasilane akumulatorowo
• Kierowniki linii ogólnego przeznaczenia
• Interfejsy na poziomie układów logicznych - idealne dla TTL i CMOS
• Napędy fotograficzne
• Przekaźniki półprzewodnikowe
• Przełączniki telekomunikacyjne
• Systemy zasilane akumulatorowo
• Kierowniki linii ogólnego przeznaczenia
• Interfejsy na poziomie układów logicznych - idealne dla TTL i CMOS
• Napędy fotograficzne
• Przekaźniki półprzewodnikowe
• Przełączniki telekomunikacyjne
Certyfikaty
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEN
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEN
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 350 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Typ opakowania | TO-92 |
| Seria | TN0106 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 4,5 oma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 0.6V |
| Maksymalna strata mocy | 1 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | 20 V |
| Długość | 5.08mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.06mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Wysokość | 5.33mm |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.5V |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |