MOSFET N-kanałowy 300 mA TO-92 60 V Pojedynczy 1 W 6 omów

W tym tranzystorze trybu wzmocnienia (normalnie wyłączonym) zastosowano pionową strukturę DMOS oraz sprawdzony proces produkcji bramek krzemowych. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwościach tranzystorów bipolarnych oraz o wysokiej impedancji wejściowej i dodatnim współczynniku temperatury charakterystycznym dla układów MOS. Podobnie jak wszystkie konstrukcje MOS, urządzenie jest pozbawione strat termicznych oraz przebicia wtórnego wywołanego temperaturą. Pionowe układy FET DMOS są idealnie dostosowane do szerokiego zakresu zastosowań przy przełączaniu i wzmacnianiu, gdzie ważnymi parametrami są bardzo niskie napięcie progowe, wysokie napięcie przebicia, wysoka impedancja wejściowa, niska pojemność wejściowa oraz szybkie przełączanie.

Bez wtórnego przebicia
Niewielkie wymagania dotyczące sterowania zasilaniem
Łatwe łączenie równoległe
Niska wartość CISS i wysokie prędkości przełączania
Doskonała stabilność termiczna
Zintegrowana dioda źródło-dren
Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie