MOSFET N-kanałowy 350 mA TO-92 60 V Pojedynczy 1 W 4,5 oma

MOSFET Microchip Technology do montażu przelotowego to nowy produkt w nowej epoce, o rezystancji źródła sygnału 3 omy przy napięciu wyjściowym 10 V. Posiada on napięcie źródła sygnału spustu 60 V i maksymalne napięcie źródła sygnału 20 V. Prąd spustu ciągłego wynosi 350 mA, a maksymalne rozpraszanie energii 1 W. Napięcie minimalne i maksymalne dla tego MOSFET wynosi odpowiednio 4,5 V i 10 V. MOSFET to tranzystor (zwykle wyłączony) wykorzystujący pionową strukturę DMOS i sprawdzony proces produkcji bramki silikonowej. Ta kombinacja daje urządzenie o możliwościach tranzystorów bipolarnych oraz o wysokiej impedancji wejściowej i dodatnim współczynniku temperatury charakterystycznym dla układów MOS. Istotne cechy wszystkich struktur MOS sprawiają, że urządzenie to jest wolne od usterek cieplnych i wtórnych wywołanych termicznie. Ten pionowy układ DMOS FET został zoptymalizowany pod kątem zmniejszenia strat związanych z przełączaniem i przewodzeniem. MOSFET to znakomita wydajność oraz długi i wydajny okres eksploatacji bez utraty wydajności lub funkcjonalności.

• Ułatwienie do pracy równoległej
• Doskonała stabilność termiczna
• Wolne od podziału wtórnego
• Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
• Zintegrowana dioda spustu źródła
• Niski CISS i szybkie przełączanie
• Niskie zapotrzebowanie na napęd
• Zakres temperatury pracy od -55°C do 150°C.

• Przełączniki analogowe
• Systemy zasilane akumulatorowo
• Kierowniki linii ogólnego przeznaczenia
• Interfejsy na poziomie układów logicznych - idealne dla TTL i CMOS
• Napędy fotograficzne
• Przekaźniki półprzewodnikowe
• Przełączniki telekomunikacyjne

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• JEDEN