MOSFET N-kanałowy 11 A TO-247AC 600 V Pojedynczy 180 W 580 miliomów
- Nr art. RS:
- 178-0794
- Nr części producenta:
- IRFPC50APBF
- Producent:
- Vishay
425 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 25)
21,53 zł
(bez VAT)
26,49 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 25 - 25 | 21,53 zł | 538,35 zł |
| 50 - 100 | 21,10 zł | 527,58 zł |
| 125 + | 20,03 zł | 500,68 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 178-0794
- Nr części producenta:
- IRFPC50APBF
- Producent:
- Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 11 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | TO-247AC |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 580 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 180 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Szerokość | 5.31mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 15.87mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 70 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 20.7mm |