- Nr art. RS:
- 178-0796
- Nr części producenta:
- IRFPE40PBF
- Producent:
- Vishay
225 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 25)
4,81 zł
(bez VAT)
5,92 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Tube* |
25 + | 4,81 zł | 120,35 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 178-0796
- Nr części producenta:
- IRFPE40PBF
- Producent:
- Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 5,4 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 800 V |
Typ opakowania | TO-247AC |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 2 omy |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
Maksymalna strata mocy | 150 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
Liczba elementów na układ | 1 |
Długość | 15.87mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 130 nC przy 10 V |
Szerokość | 5.31mm |
Materiał tranzystora | Si |
Wysokość | 20.7mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |