N-Channel MOSFET, seria E, Low Fix-Merit, Vishay Semiconductor
Tranzystory zasilające MOSFET serii E firmy Vishay to tranzystory o wysokim napięciu wyposażone w bardzo niską maksymalną rezystancję, niską wartość mocy i szybkie przełączanie. Są one dostępne w szerokim zakresie bieżących ocen. Typowe zastosowania obejmują serwery i telekomunikacyjne zasilacze, oświetlenie LED, konwertery sygnału zwrotnego z przepuchem, korekcję współczynnika mocy (PFC) oraz zasilacze SSMPS (ang. Switch mode feeders).
Funkcje
Niski wskaźnik jakości (FOM) RDS(on) x QG Niska pojemność wejścia (Ciss) Niska oporność (RDS(włączone)) Bardzo niskie naładowanie bramki (QG) Szybkie przełączanie Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Atrybut
Parametr
Typ kanału
N
Maksymalny ciągły prąd drenu
29 A
Maksymalne napięcie dren-źródło
600 V
Typ opakowania
TO-220AB
Typ montażu
Otwór przezierny
Liczba styków
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło
125 miliomów
Tryb kanałowy
Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS
2V
Maksymalna strata mocy
250 W
Konfiguracja tranzystora
Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło
-20 V, +20 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs