MOSFET P-kanałowy IRF7205PBF 30 V 4,6 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 178-1524
  • Nr części producenta IRF7205PBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

MOSFET o mocy 30 V, Infineon

Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 70 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 3V
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Liczba styków 8
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2,5 W
Szerokość 4mm
Liczba elementów na układ 1
Minimalna temperatura robocza -55°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 27 nC przy 10 V
Wysokość 1.5mm
Seria HEXFET
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Długość 5mm
Materiał tranzystora Si
950 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (w tubie á 95)
3,26
(bez VAT)
4,00
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
95 +
3,26 zł
309,23 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa