- Nr art. RS:
- 178-5338
- Nr części producenta:
- LND01K1-G
- Producent:
- Microchip
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (3000 na rolce)
0,93 zł
(bez VAT)
1,14 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Reel* |
3000 + | 0,93 zł | 2 790,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 178-5338
- Nr części producenta:
- LND01K1-G
- Producent:
- Microchip
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory N-Channel LND01 MOSFET
Microchip LND01 to niski próg, tryb tłumienia (zwykle włączony) tranzystora MOSFET. Konstrukcja łączy w sobie możliwości zasilania tranzystora bipolarnego z wysoką impedancją wejściową i dodatnim współczynnikiem temperatury urządzeń MOS.
Funkcje
Dwukierunkowe
Niska rezystancja w stanie włączenia
Niska pojemność wejściowa
Szybkie przełączanie prędkości
Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
Niskie zapotrzebowanie na napęd
Łatwość obsługi równoległej
Niska rezystancja w stanie włączenia
Niska pojemność wejściowa
Szybkie przełączanie prędkości
Wysoka impedancja wejściowa i wysokie wzmocnienie
Niskie zapotrzebowanie na napęd
Łatwość obsługi równoległej
.
Tranzystory MOSFET, Microchip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 330 mA |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 9 V |
Typ opakowania | SOT-23 |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 5 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1,4 oma |
Tryb kanałowy | Wyczerpanie |
Maksymalna strata mocy | 360 mW |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -12 V, +0,6 V |
Szerokość | 1.75mm |
Maksymalna temperatura robocza | +125°C |
Długość | 3.05mm |
Materiał tranzystora | Si |
Liczba elementów na układ | 1 |
Minimalna temperatura robocza | -25°C |
Wysokość | 1.3mm |