MOSFET P-kanałowy 3,1 A SOT-23 20 V SMD 0.112 O.

MOSFET do montażu powierzchniowego Vishay to nowy produkt wiekowy o odporności na ścieki 112mohm przy napięciu źródła bramki 4,5 V. It ma maksymalne napięcie źródła bramki 8 V i napięcie źródła spustu 20 V. Tranzystor MOSFET ma minimalne i maksymalne napięcie napędowe wynoszące odpowiednio 2,5 V i 4,5 V. It ma ciągły prąd odpływowy 3,1A i maksymalne rozpraszanie mocy 1,6 W. MOSFET ma zastosowanie w przełącznikach obciążenia dla urządzeń przenośnych. It został zoptymalizowany pod kątem niższych strat związanych z przełączaniem i przewodnictwem. Tranzystor MOSFET zapewnia doskonałą wydajność oraz długi i wydajny okres eksploatacji bez utraty wydajności i funkcjonalności.

• Bez zawartości halogenu
• bez ołowiu (Pb)
• zakres temperatur roboczych od -55°C do 150°C.
• TrenchFET mocy MOSFET

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21