IGBT SI7898DP-T1-E3, Vishay

MOSFET do montażu powierzchniowego Vishay PowerPAK-SO-8 to nowy produkt wiekowy o napięciu źródła odpływowego 150 V i maksymalnym napięciu źródła bramki 20 V. It ma rezystancję źródła odpływowego 85 mhms przy napięciu źródła bramki 10 V. It ma maksymalne rozpraszanie mocy 5 w i ciągły prąd odpływowy 4,8 A. It ma minimalne i maksymalne napięcie zasilania odpowiednio 6V i 10V. Ten produkt został zoptymalizowany pod kątem zmniejszenia strat związanych z przełączaniem i przewodnictwem. Tranzystor MOSFET zapewnia doskonałą wydajność oraz długi i wydajny okres eksploatacji bez utraty wydajności i funkcjonalności.

• Bez zawartości halogenu
• komponent wolny od ołowiu (Pb)
• nowy pakiet PowerPAK o niskiej rezystancji termicznej o małym rozmiarze i niskim profilu 1,07 mm
• zakres temperatur roboczych od -55°C do 150°C.
• zoptymalizowany pod kątem modulacji szerokości impulsu
• TrenchFET moc MOSFET do szybkiego przełączania

• główne przełączniki boczne zasilacza DC/DC
• przemysłowe napędy silnikowe

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• testowany RG