MOSFET Typ P-kanałowy 90 A TO-263 100 V Powierzchnia 3-pinowy 375 W 0.019 Ω Vishay SUM90P10-19L-E3
- Nr art. RS:
- 180-8130P
- Nr części producenta:
- SUM90P10-19L-E3
- Producent:
- Vishay
Obecnie niedostępne
Przepraszamy, nie mamy informacji, czy ten produkt będzie jeszcze dostępny w magazynie. Zostanie on wkrótce usunięty z oferty RS.
- Nr art. RS:
- 180-8130P
- Nr części producenta:
- SUM90P10-19L-E3
- Producent:
- Vishay
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | Typ P | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 90A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 100V | |
| Typ obudowy | TO-263 | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 0.019Ω | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 97nC | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 20V | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 375W | |
| Maksymalna temperatura robocza | 175°C | |
| Długość | 0.625cal | |
| Szerokość | 10.414mm | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS Directive 2002/95/EC | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału Typ P | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 90A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 100V | ||
Typ obudowy TO-263 | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 0.019Ω | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 97nC | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 20V | ||
Maksymalna strata mocy Pd 375W | ||
Maksymalna temperatura robocza 175°C | ||
Długość 0.625cal | ||
Szerokość 10.414mm | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS Directive 2002/95/EC | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
- Kraj pochodzenia:
- TW
Tranzystor MOSFET Vishay
Vishay MOSFET to pakiet P-Channel, TO-263-3, to nowy produkt o napięciu źródła odpływowego 100 V i maksymalnym napięciu źródła bramki 20 V. It ma odporność na ścieki ze źródła 19mohm przy napięciu źródła bramki 10V. Maksymalne rozpraszanie mocy przez tranzystor MOSFET wynosi 375 W. Można go używać w głównym przełączniku bocznym. Ten produkt został zoptymalizowany pod kątem zmniejszenia strat związanych z przełączaniem i przewodnictwem. Tranzystor MOSFET zapewnia doskonałą wydajność oraz długi i wydajny okres eksploatacji bez utraty wydajności i funkcjonalności.
Charakterystyka i zalety
• komponent wolny od ołowiu (Pb)
• zakres temperatur roboczych od -55°C do 175°C.
• TrenchFET mocy MOSFET