MOSFET N-kanałowy 191 A SO-8FL 30 V SMD Pojedynczy 113,6 W 3 miliomy
- Nr art. RS:
- 184-1252
- Nr części producenta:
- NTMFS4833NT1G
- Producent:
- onsemi
5 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Cena netto za opak. z 10 szt.
57,96 zł
(bez VAT)
71,29 zł
(z VAT)
| Opakowanie (-a) | Za opakowanie | Per unit* |
| 1 - 9 | 57,96 zł | 5,80 zł |
| 10 - 24 | 44,37 zł | 4,44 zł |
| 25 - 49 | 43,43 zł | 4,34 zł |
| 50 - 99 | 37,13 zł | 3,71 zł |
| 100 + | 31,19 zł | 3,12 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 184-1252
- Nr części producenta:
- NTMFS4833NT1G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MY
Szczegółowe dane produktu
Niska wartość RDS(on) ogranicza do minimum straty przewodzenia
Niska pojemność minimalizuje straty sterownika
Optymalny ładunek bramki ogranicza do minimum straty przełączania
Są to urządzenia bezołowiowe
Zastosowania
Patrz Nota aplikacyjna I8195/D.
Zasilanie procesora
Przetwornice DC-DC
Przełączanie po stronie niskiej wartości
Niska pojemność minimalizuje straty sterownika
Optymalny ładunek bramki ogranicza do minimum straty przełączania
Są to urządzenia bezołowiowe
Zastosowania
Patrz Nota aplikacyjna I8195/D.
Zasilanie procesora
Przetwornice DC-DC
Przełączanie po stronie niskiej wartości
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 191 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SO-8FL |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 3 miliomy |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.5V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.5V |
| Maksymalna strata mocy | 113,6 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | ±20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 5.8mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.9mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 88 nC przy 11,5 V. |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.05mm |
| Napięcie przewodzenia diody | 1V |