MOSFET N-kanałowy 540 mA SOT-563 20 V SMD 250 mW 900 miliomów
- Nr art. RS:
- 184-1406
- Nr części producenta:
- NTZD3154NT1G
- Producent:
- onsemi
19 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za opak. z 100 szt.
27,35 zł
(bez VAT)
33,64 zł
(z VAT)
| Opakowanie (-a) | Za opakowanie | Per unit* |
| 1 + | 27,35 zł | 0,27 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 184-1406
- Nr części producenta:
- NTZD3154NT1G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Jest to tranzystor mocy 20 V typu N-Channel MOSFET.
Niski RDS(on) Poprawa wydajności systemu
Niskie napięcie progowe
Mała powierzchnia podstawy 1,6 x 1,6 mm
Bramka zabezpieczona przed ESD
Zastosowania:
Przełączniki obciążenia/zasilania
Obwody przetwornic zasilania
Zarządzanie akumulatorami
Niskie napięcie progowe
Mała powierzchnia podstawy 1,6 x 1,6 mm
Bramka zabezpieczona przed ESD
Zastosowania:
Przełączniki obciążenia/zasilania
Obwody przetwornic zasilania
Zarządzanie akumulatorami
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 540 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 20 V |
| Typ opakowania | SOT-563 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 6 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 900 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 0.45V |
| Maksymalna strata mocy | 250 mW |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | ±7 V |
| Szerokość | 1.3mm |
| Długość | 1.7mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 1,5 nC przy 4,5 V |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.2V |
| Wysokość | 0.6mm |