MOSFET N-kanałowy 30 A TO-247 1200 V Pojedynczy 113,6 W 75 miliomów

Wolfspeed umacnia pozycję lidera w technologii SiC, wprowadzając Advanced SiC MOSFET. Projektanci mogą zredukować liczbę elementów dzięki zastosowaniu topologii trzech poziomów opartych na krzemu do prostszych topologii dwupoziomowych zapewnianych przez lepszą wydajność przełączania. To urządzenie charakteryzuje się niską opornością w połączeniu z niskim poziomem naładowania bramki, co sprawia, że idealnie nadaje się do stosowania w topologiach 3-fazowych, bezbronnych PFC, jak również do pracy w inwerterze i ładowarce. Pobierz nasze modele LTspice, aby rozpocząć Get lub kliknij tutaj, aby uzyskać więcej informacji.

Minimum 1200 V VBR w całym zakresie temperatur pracy
Szybkie przełączanie z niską pojemnością wyjściową
Wysokie napięcie blokowania z niską wartością RDS(on)
Szybka dioda wewnętrzna o niskiej wartości zwrotnej (Qrr)
Łatwe wyrównywanie i proste sterowanie