MOSFET N-kanałowy 3,2 A, 5 A. DPAK (TO-252) 850 V SMD 0,95 oma
- Nr art. RS:
- 200-6867
- Nr części producenta:
- SIHD6N80AE-GE3
- Producent:
- Vishay
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Cena netto za szt. (opak. á 25)
3,47 zł
(bez VAT)
4,27 zł
(z VAT)
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 24.06.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie** |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,47 zł | 86,80 zł |
| 50 - 100 | 2,78 zł | 69,45 zł |
| 125 - 225 | 2,43 zł | 60,75 zł |
| 250 - 600 | 2,01 zł | 50,33 zł |
| 625 + | 1,88 zł | 46,90 zł |
**cena za opakowanie
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 3 5 A. DPAK (TO-252) 850 V SMD 0,95 oma
- MOSFET N-kanałowy 3 5 A. IPAK (TO-251) 850 V 0,95 oma
- MOSFET N-kanałowy 3 A DPAK (TO-252) 500 V SMD Pojedynczy 104 W 3,2 oma
- MOSFET N-kanałowy 4,4 A DPAK (TO-252) 850 V SMD 1.35 Ω
- MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 850 V SMD 0.45 Ω
- MOSFET N-kanałowy 4 A4 A. DPAK (TO-252) 650 V SMD 0,7 oma
- MOSFET N-kanałowy 10 A DPAK (TO-252) 480 V SMD 0,38 oma
- MOSFET N-kanałowy 12 A DPAK (TO-252) 600 V SMD 0,32 oma