MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 0.391 Ω
- Nr art. RS:
- 210-4979
- Nr części producenta:
- SIHD11N80AE-GE3
- Producent:
- Vishay
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Cena netto za szt. (opak. á 5)**
7,42 zł
(bez VAT)
9,12 zł
(z VAT)
2985 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie** |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 7,42 zł | 37,08 zł |
| 50 - 120 | 7,26 zł | 36,31 zł |
| 125 - 245 | 5,71 zł | 28,57 zł |
| 250 - 495 | 4,61 zł | 23,03 zł |
| 500 + | 4,30 zł | 21,48 zł |
**cena za opakowanie
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 0.391 Ω
- MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 850 V SMD 0.45 Ω
- MOSFET N-kanałowy 8 A TO-247AC 800 V 0.391 Ω
- MOSFET N-kanałowy 8 A D2PAK (TO-263) 800 V SMD 0.391 Ω
- MOSFET N-kanałowy 3,9 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 1.4 Ω
- MOSFET N-kanałowy 8 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 0.6 Ω
- MOSFET N-kanałowy 2,5 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 2.4 Ω
- MOSFET N-kanałowy 7 A DPAK (TO-252) 800 V SMD 1.2 Ω