MOSFET N-kanałowy 2,9 A IPAK (TO-251) 800 V 2.5 Ω
- Nr art. RS:
- 210-4997
- Nr części producenta:
- SIHU2N80AE-GE3
- Producent:
- Vishay
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Cena netto za szt. (opak. á 10)
1,63 zł
(bez VAT)
2,00 zł
(z VAT)
2940 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie** |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,63 zł | 16,25 zł |
| 100 - 240 | 1,59 zł | 15,93 zł |
| 250 - 490 | 1,32 zł | 13,16 zł |
| 500 - 990 | 1,12 zł | 11,20 zł |
| 1000 + | 0,88 zł | 8,79 zł |
**cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 210-4997
- Nr części producenta:
- SIHU2N80AE-GE3
- Producent:
- Vishay
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 2,9 A IPAK (TO-251) 800 V 2.5 Ω
- MOSFET N-kanałowy 435 oma
- MOSFET N-kanałowy 45 W 1,44 oma
- MOSFET N-kanałowy 1,5 A IPAK (TO-251) 800 V 4.5 Ω
- MOSFET N-kanałowy 2.5 A IPAK (TO-251) 800 V Pojedynczy 70 W 4,5 oma
- MOSFET N-kanałowy 25 oma
- Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 7 A IPAK (TO-251) 800 V 0.75 O.
- MOSFET N-kanałowy 6 A IPAK (TO-251) 800 V 0.9 Ω