MOSFET N-kanałowy 250 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD 0.0018 O.
- Nr art. RS:
- 214-8960
- Nr części producenta:
- AUIRFS8407TRL
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 06.05.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (800 na rolce)
9,45 zł
(bez VAT)
11,62 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 800 + | 9,45 zł | 7 558,40 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 214-8960
- Nr części producenta:
- AUIRFS8407TRL
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory Infineon HEXFET Power MOSFET wykorzystują najnowsze techniki przetwarzania, aby osiągnąć bardzo niską odporność na każdy obszar krzemu. Dodatkowe cechy tej konstrukcji to temperatura robocza połączenia 175°C, duża prędkość przełączania i zwiększona ocena lawinowy. Te cechy łączą się, aby ten projekt uczynić niezwykle wydajnym i niezawodnym urządzeniem do zastosowań motoryzacyjnych i wielu innych zastosowań.
Zaawansowana technologia przetwarzania
Nowy, bardzo niski opór przy zakopaniu
Samochód wykwalifikowany
Nowy, bardzo niski opór przy zakopaniu
Samochód wykwalifikowany
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 250 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Seria | HEXFET |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 0.0018 O. |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |