MOSFET N-kanałowy 21 A SO-8 30 V SMD 0.0036 Ω
- Nr art. RS:
- 215-2584
- Nr części producenta:
- IRF7831TRPBF
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 25.10.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (4000 na rolce)
2,06 zł
(bez VAT)
2,54 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 4000 + | 2,06 zł | 8 248,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 215-2584
- Nr części producenta:
- IRF7831TRPBF
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Seria MOSFET mocy HEXFET Infineon ma maksymalne napięcie źródła spustu 30 V w OBUDOWIE SO-8. Posiada zastosowanie synchronicznego konwertera typu buck o wysokiej częstotliwości do zastosowań w systemach sieciowych i komputerowych.
Zgodność z RoHS
Wiodąca w branży jakość
Niska wartość RDS(WŁ.) przy VGS 4,5 V
Pełna charakterystyka napięcia i prądu lawinowości
Bardzo niska impedancja bramki
Wiodąca w branży jakość
Niska wartość RDS(WŁ.) przy VGS 4,5 V
Pełna charakterystyka napięcia i prądu lawinowości
Bardzo niska impedancja bramki
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 21 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Seria | HEXFET |
| Typ opakowania | SO-8 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 0.0036 Ω |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.35V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |