MOSFET N-kanałowy 50 A TO-220 600 V 40 MO

Seria MOSFET 600 V CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) oferuje redukcję strat związanych z wyłączeniem o około 50% w porównaniu z CoolMOS™ CP, oferując wyjątkową wydajność w przypadku PFC, TTF i innych topologii z funkcją twardego przełączania. Model IPL60R185C7 idealnie pasuje do ładowarek o dużej gęstości mocy. Aplikacje o wydajności i całkowitym koszcie posiadania (TCO), takie jak centra hiperdanych i wysokowydajne prostowniki telekomunikacyjne (>96%), zyskują na wyższej wydajności oferowanej przez CoolMOS™ C7. Można osiągnąć wzmocnienia od 0,3% do 0,7% w topologiach PFC i 0,1% w LLC. Na przykład w przypadku zasilaczy serwerowych o mocy 2,5 kW, zastosowanie MOSFET 600V CoolMOS™ C7 SJ w OBUDOWIE TO-247 4pin może spowodować obniżenie kosztów energii o ok. 10% w przypadku utraty energii przez zasilacz.

Zredukowane parametry utraty przełączania, takie jak Q G, C oss, E oss
Najlepsza w tej klasie wartość Q G*R DS(wł.)
Zwiększona częstotliwość przełączania
Najlepsza wartość R (wł.)*A na świecie
Dioda z wytrzymałym korpusem