Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 180 A TO-263-7 40 V SMD 0.0011 O.
- Nr art. RS:
- 220-7372
- Nr części producenta:
- IPB011N04LGATMA1
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
19,74 zł
(bez VAT)
24,27 zł
(z VAT)
3960 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie** |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 19,74 zł | 39,47 zł |
| 10 - 18 | 17,78 zł | 35,55 zł |
| 20 - 48 | 16,59 zł | 33,17 zł |
| 50 - 98 | 15,39 zł | 30,78 zł |
| 100 + | 14,20 zł | 28,40 zł |
**cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 220-7372
- Nr części producenta:
- IPB011N04LGATMA1
- Producent:
- Infineon
Powiązane linki
- Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 180 A TO-263-7 40 V SMD 0.0011 O.
- Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 100 A SuperSO8 5 x 6 40 V SMD...
- MOSFET N-kanałowy 180 A D2PAK-7 40 V SMD 0.0011 Ω
- MOSFET N-kanałowy 360 A TO-263-7 40 V SMD 0.00065 O.
- MOSFET N-kanałowy 160 A TO-263-7 40 V SMD 0.0029 O.
- MOSFET N-kanałowy 268 A DFN 40 V SMD 0.0011 Ω
- MOSFET N-kanałowy 342 A TO-263-7 60 V SMD 0.0011 Ω
- MOSFET N-kanałowy 523 A D2PAK-7 40 V SMD 0.00069 O.