Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 180 A TO-263-7 40 V SMD 0.0011 O.
- Nr art. RS:
- 220-7372
- Nr części producenta:
- IPB011N04LGATMA1
- Producent:
- Infineon
Cena netto za szt. (opak. á 2)**
6,17 zł
(bez VAT)
7,58 zł
(z VAT)
3958 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę | Za opakowanie** |
|---|---|---|
| 2 + | 6,17 zł | 12,33 zł |
**cena za opakowanie
- Nr art. RS:
- 220-7372
- Nr części producenta:
- IPB011N04LGATMA1
- Producent:
- Infineon
Powiązane linki
- Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 180 A TO-263-7 40 V SMD 0.0011 O.
- MOSFET N-kanałowy 120 A D2PAK (TO-263) 80 V SMD 0.0041 O.
- Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 180 A D2PAK (TO-263) 80 V SMD...
- MOSFET N-kanałowy 180 A TO-263-7 100 V SMD 0.0024 O.
- MOSFET N-kanałowy 342 A TO-263-7 60 V SMD 0.0011 Ω
- Tranzystor MOSFET z diodą P-kanałowy 90 A TO-252 30 V SMD 0.0041 O.
- MOSFET N-kanałowy 203 A D2PAK (TO-263) 100 V SMD 0.0041 Ω
- MOSFET P-kanałowy 150 A D2PAK (TO-263) 80 V SMD 0.0061 Ω