MOSFET N-kanałowy 12,5 A HSOF-8 600 V SMD 0.19 Ω
- Nr art. RS:
- 222-4638
- Nr części producenta:
- IGT60R190D1SATMA1
- Producent:
- Infineon
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Cena netto za szt.
69,53 zł
(bez VAT)
85,52 zł
(z VAT)
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 20.10.2026, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.*
* Daty dostawy mogą ulec zmianie w zależności od wybranej ilości i adresu dostawy.
BEZPŁATNA dostawa przy zamówieniu powyżej 300,00 zł
Wysyłka standardowa
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 9 | 69,53 zł |
| 10 - 99 | 63,81 zł |
| 100 - 249 | 58,77 zł |
| 250 - 499 | 54,68 zł |
| 500 + | 53,10 zł |
- Nr art. RS:
- 222-4638
- Nr części producenta:
- IGT60R190D1SATMA1
- Producent:
- Infineon
Powiązane linki
- MOSFET N-kanałowy 12,5 A HSOF-8 600 V SMD 0.19 Ω
- MOSFET N-kanałowy 10 A LSON-8 600 V SMD 0.19 Ω
- MOSFET N-kanałowy 44 A HSOF-8 600 V SMD 0.05 Ω
- MOSFET N-kanałowy 23 A HSOF-8 600 V SMD 0.102 Ω
- MOSFET N-kanałowy 12 A TO-220 700 V 0.19 Ω
- MOSFET N-kanałowy 16 A TO-220 650 V 0.19 Ω
- MOSFET N-kanałowy 16 A TDFN4 650 V SMD 0.19 Ω
- MOSFET N-kanałowy 8,7 A DPAK (TO-252) 100 V SMD 0.19 Ω