MOSFET N-kanałowy 98 A TO-247-4 1200 V

Infineon CoolSiC 1200 V, 20 mΩ SiC MOSFET w pakiecie TO247-4 bazującym na stanie procesu półprzewodnikowego rowu ART zoptymalizowanego pod kątem połączenia wydajności z niezawodnością, obejmuje to najniższe poziomy naładowania bramki i pojemności urządzeń widoczne w przełącznikach 1200 V, Brak strat podczas powrotu do stanu normalnego wewnętrznej diody korpusu odpornej na komutację, niezależne od temperatury straty przy przełączaniu i niepowodujących progów charakterystyki włączenia oraz tranzystory CoolSiC MOSFET są idealne do twardych i dźwiękowych topologii przełączania, takich jak obwody korekcji współczynnika mocy (PFC), topologie dwukierunkowe i przetwornice DC-DC lub przetwornice DC-AC.

VDSS - 1200 V PRZY TEMPERATURZE T - 25°C.
IDCC - 98 A PRZY T - 25°C.
RDS(WŁ.) - 19 mohm przy VGS - 18 V, T - 25°C.
Bardzo niskie straty przy przełączaniu
Czas wytrzymania zwarcia 3 mikrosekundy
Wzorcowe napięcie progowe bramki, VGS(th) - 4.2 V.
Odporny na włączenie zasilania przez prąd, można zastosować napięcie bramki wyłączonej 0 V.
Solidna dioda do komunikacji twardej
Technologia połączeń wzajemnych XT zapewniająca najlepszą w swojej klasie wydajność termiczną