MOSFET 66 A PG-TO 220 650 V SMD

Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET uzupełnia ofertę CoolMOS 7 dla zastosowań konsumenckich. MOSFET w obudowie TO-220 FullPAK o wąskim przewodzie charakteryzuje się wartością RDS(on) 125 mOhm, co prowadzi do niskich strat przełączania. Produkty są wyposażone w szybką diodę korpusu zapewniającą solidne urządzenie i z kolei zmniejszając koszty materiału dla klienta. Ta rodzina produktów została zaprojektowana z myślą o bardzo wysokiej gęstości mocy oraz o najwyższej wydajności. Produkty są przeznaczone przede wszystkim do ładowarek o bardzo wysokiej gęstości, adapterów i napędów silników o niskiej mocy. Układ CoolMOS PFD7 600 V zapewnia lepszą wydajność przy lekkim obciążeniu i pełnym obciążeniu w porównaniu z technologiami CoolMOS P7 i CE MOSFET, co zwiększa gęstość mocy o 1,8 W/cal3.

Szeroki zakres wartości RDS(on)
Doskonała wytrzymałość na przełączanie
Niski poziom zakłóceń elektromagnetycznych
Szeroki zakres opakowań
Ograniczenie kosztów BOM i łatwa produkcja
Wytrzymałość i niezawodność
Łatwy wybór odpowiednich części do precyzyjnego dopasowania konstrukcji