MOSFET 14 A PG-TDSON-8 650 V SMD

Infineon 600V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET uzupełnia ofertę CoolMOS 7 dla zastosowań konsumenckich. Transformator MOSFET Super Junction w obudowie ThinPAK 5x6 charakteryzuje się wartością RDS(on) 600 mOhm, co prowadzi do niskich strat przełączania. Ta obudowa charakteryzuje się bardzo małą powierzchnią 5 x 6 mm2 i bardzo niskim profilem o wysokości 1 mm. Wraz z jego niską pasażowalnością wzorcową, cechy te prowadzą do znacznie mniejszych czynników kształtu i pomagają zwiększyć gęstość mocy. Produkty CoolMOS PFD7 są wyposażone w szybką diodę korpusu, która zapewnia wytrzymałość urządzenia i zmniejsza koszty materiału dla klienta.

Bardzo niska wartość FOM RDS(on) x Eoss
Zintegrowana, wytrzymała, szybka dioda obudowy
Zabezpieczenie ESD do 2 kV
Szeroki zakres wartości RDS(on)
Minimalizacja strat przełączania
Poprawa gęstości mocy w porównaniu z najnowszą technologią ładowarki CoolMOS