MOSFET Typ P-kanałowy -2 A SOT-346 45 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 1 W ROHM 190 mΩ RSR020P05HZGTL
- Nr art. RS:
- 264-3848
- Nr części producenta:
- RSR020P05HZGTL
- Producent:
- ROHM
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka
Suma częściowa (1 opakowanie po 25 sztuk/i)*
43,65 zł
(bez VAT)
53,70 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 300,00 zł
W magazynie
- 2000 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę | Za Opakowanie* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 1,746 zł | 43,65 zł |
| 50 - 75 | 1,714 zł | 42,85 zł |
| 100 - 225 | 1,339 zł | 33,48 zł |
| 250 - 975 | 1,31 zł | 32,75 zł |
| 1000 + | 1,026 zł | 25,65 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 264-3848
- Nr części producenta:
- RSR020P05HZGTL
- Producent:
- ROHM
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | ROHM | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | Typ P | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | -2A | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 45V | |
| Seria | RSR020P05HZG | |
| Typ obudowy | SOT-346 | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 3 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 190mΩ | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 4.5nC | |
| Napięcie przewodzenia Vf | -1.2V | |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs | 20 V | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 1W | |
| Maksymalna temperatura robocza | 150°C | |
| Normy/Zatwierdzenia | RoHS, AEC-Q101 | |
| Norma motoryzacyjna | Nie | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka ROHM | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału Typ P | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id -2A | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 45V | ||
Seria RSR020P05HZG | ||
Typ obudowy SOT-346 | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 3 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 190mΩ | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Minimalna temperatura robocza -55°C | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 4.5nC | ||
Napięcie przewodzenia Vf -1.2V | ||
Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs 20 V | ||
Maksymalna strata mocy Pd 1W | ||
Maksymalna temperatura robocza 150°C | ||
Normy/Zatwierdzenia RoHS, AEC-Q101 | ||
Norma motoryzacyjna Nie | ||
- Kraj pochodzenia:
- TH
Tranzystor MOSFET małego sygnału firmy ROHM to tranzystor o wysokiej niezawodności do zastosowań motoryzacyjnych, odpowiedni do zastosowań przełączania, mała obudowa do montażu powierzchniowego. Powłoka ołowiu bez zawartości ołowiu; Zgodność z RoHS i certyfikatem AEC-Q101.
Niska rezystancja włączenia
Wbudowana dioda zabezpieczająca G-S
Powiązane linki
- MOSFET Typ P-kanałowy -2 A SOT-346 45 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 1 W ROHM 190 mΩ
- MOSFET Typ P-kanałowy -4 A SOT-346 30 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 1 W ROHM 45 mΩ
- MOSFET Typ P-kanałowy -4 A SOT-346 30 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 1 W ROHM 45 mΩ RRR040P03HZGTL
- MOSFET Typ N-kanałowy 2 A SOT-346 45 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 1 W ROHM 180 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 3 A SOT-346 45 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 1 W ROHM 67 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 2.5 A SOT-346 45 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 1 W ROHM 130 mΩ
- MOSFET Typ N-kanałowy 2.5 A SOT-346 45 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 1 W ROHM 100 mΩ
- MOSFET Typ P-kanałowy -3 A SOT-346 20 V Rozszerzenie 3-pinowy Powierzchnia 1 W ROHM 75 mΩ
