MOSFET N-kanałowy SOT-23 100 V

Układ MOSFET z kanałem P Microchip o niskim progu i trybie wzmocnienia (normalnie wyłączony) wykorzystuje pionową strukturę DMOS i sprawdzony proces produkcyjny z bramką krzemową. Połączenie to daje urządzenie z możliwościami obsługi mocy tranzystorów bipolarnych oraz wysoką impedancją wejściową i dodatnim współczynnikiem temperatury właściwym urządzeniom MOS. Charakterystyczne dla wszystkich struktur MOS, urządzenie to jest wolne od ucieczki cieplnej i wtórnego uszkodzenia wywołanego termicznie. Pionowe przetworniki FET DMOS doskonale nadają się do szerokiej gamy zastosowań przełączania i wzmacniania, w których wymagane są bardzo niskie napięcie progowe, wysokie napięcie rozruchowe, wysoka impedancja wejściowa, niska pojemność wejściowa i szybkie prędkości przełączania.

Wolne od rozkładu wtórnego
Wymagania dotyczące napędu o niskiej mocy
Łatwość równoległości
Niskie CISS i szybkie prędkości przełączania
Wysoka impedancja wejściowa i wysoki zysk