MOSFET Typ N-kanałowy 100 A TDSON 40 V Rozszerzenie 8-pinowy Powierzchnia 139 W Infineon 1.3 mΩ

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 opakowanie po 2 sztuk/i)*

16,29 zł

(bez VAT)

20,036 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 52 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
Za Opakowanie*
2 - 488,145 zł16,29 zł
50 - 4986,775 zł13,55 zł
500 - 9984,545 zł9,09 zł
1000 - 24983,76 zł7,52 zł
2500 +3,69 zł7,38 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
273-2626
Nr części producenta:
BSC010N04LSATMA1
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanału

Typ N

Maksymalny ciągły prąd drenu Id

100A

Maksymalne napięcie dren-źródło Vds

40V

Typ obudowy

TDSON

Seria

OptiMOS 5

Typ montażu

Powierzchnia

Liczba styków

8

Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds

1.3mΩ

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs

95nC

Maksymalna strata mocy Pd

139W

Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs

20 V

Napięcie przewodzenia Vf

1V

Maksymalna temperatura robocza

150°C

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

6.1mm

Szerokość

5.35 mm

Wysokość

1.1mm

Norma motoryzacyjna

Nie

MOSFET mocy Infineon to MOSFET mocy 40 V z kanałem N. Ten MOSFET jest zoptymalizowany do synchronicznego prostowania i ma wyższą niezawodność połączenia lutowniczego dzięki zwiększonemu wzajemnemu połączeniu źródła. Jest certyfikowany zgodnie z normą JEDEC do zastosowań docelowych.

Brak halogenów

Zgodność z RoHS

Płytka ołowiu bez zawartości ołowiu

Bardzo niska rezystancja włączenia

Doskonała odporność termiczna

Powiązane linki