MOSFET N-kanałowy 47 A TO-247 650 V Pojedynczy 415 W 70 miliomów
- Nr art. RS:
- 462-3455P
- Nr części producenta:
- SPW47N60C3FKSA1
- Producent:
- Infineon
1214 W magazynie, dostawa w ciągu 4 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Cena netto szt. (w tubie)
59,73 zł
(bez VAT)
73,47 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 5 - 9 | 59,73 zł |
| 10 - 24 | 57,20 zł |
| 25 - 49 | 54,68 zł |
| 50 + | 50,92 zł |
- Nr art. RS:
- 462-3455P
- Nr części producenta:
- SPW47N60C3FKSA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon CoolMOS™ C3 Moc
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 47 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 650 V |
| Seria | CoolMOS™ C3 |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 70 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.9V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
| Maksymalna strata mocy | 415 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 5.3mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Długość | 15.9mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 252 nC przy 10 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 20.95mm |