MOSFET N-kanałowy 20 A TO-220 600 V Pojedynczy 192 W 290 miliomów
- Nr art. RS:
- 486-2228
- Nr części producenta:
- STP20NM60FD
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 09.12.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
26,15 zł
(bez VAT)
32,16 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 9 | 26,15 zł |
| 10 - 99 | 22,19 zł |
| 100 - 499 | 17,82 zł |
| 500 - 999 | 15,80 zł |
| 1000 + | 13,32 zł |
- Nr art. RS:
- 486-2228
- Nr części producenta:
- STP20NM60FD
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystor zasilający MOSFET, STMicroelectronics, N-Channel FDsiatex™
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 20 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Seria | FDmesh |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 290 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 192 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 37 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Długość | 10.4mm |
| Szerokość | 4.6mm |
| Wysokość | 9.15mm |
| Minimalna temperatura robocza | -65 °C |