Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Atrybut
Parametr
Typ kanału
N
Maksymalny ciągły prąd drenu
110 A
Maksymalne napięcie dren-źródło
55 V
Seria
HEXFET
Typ opakowania
TO-247AC
Typ montażu
Otwór przezierny
Liczba styków
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło
8 miliomów
Tryb kanałowy
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS
4V
Minimalne napięcie progowe VGS
2V
Maksymalna strata mocy
200 W
Konfiguracja tranzystora
Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło
-20 V, +20 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs
