MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy podwójny IRF7319PBF 30 V 4,9 A; 6,5 A 8-Pin SOIC SMD HEXFET Izolacja Si

  • Nr art. RS 541-0301
  • Nr części producenta IRF7319PBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

Podwójny MOSFET o mocy N/P, Infineon

Infineon tranzystory MOSFET o podwójnym zasilaniu integrują dwa urządzenia HEXFET®, aby zapewnić oszczędność miejsca i ekonomiczne rozwiązania przełączania w konstrukcjach o dużej gęstości składników, gdzie przestrzeń płyty jest bardzo duża. Dostępne są różne opcje pakietów, a projektanci mogą wybrać konfigurację dwukanałową N/P.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,9 A; 6,5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Maksymalna rezystancja dren-źródło 29 mΩ, 58 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 1V
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalna strata mocy 2 W
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Liczba elementów na układ 2
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 22 nC przy 10 V, 23 nC przy 10 V
Seria HEXFET
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Wysokość 1.5mm
Materiał tranzystora Si
Długość 5mm
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Szerokość 4mm
49 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
1931 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt.
3,29
(bez VAT)
4,05
(z VAT)
Sztuki
Per unit
1 +
3,29 zł
Rodzaj opakowania: