MOSFET N/P-kanałowy podwójny IRF7319PBF 30 V 4,9 A; 6,5 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 541-0301
  • Nr części producenta IRF7319PBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,9 A; 6,5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 29 mΩ, 58 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 1V
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2 W
Długość 5mm
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Seria HEXFET
Wysokość 1.5mm
Szerokość 4mm
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 22 nC przy 10 V, 23 nC przy 10 V
Liczba elementów na układ 2
Materiał tranzystora Si
17 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
2220 kolejnych dostępnych w ciągu 2 dni roboczych
Cena za szt.
1,33
(bez VAT)
1,64
(z VAT)
Sztuki
Per unit
1 +
1,33 zł
Rodzaj opakowania: