MOSFET N-kanałowy 11 A TO-247AC 600 V Pojedynczy 180 W 580 miliomów
- Nr art. RS:
- 542-9844
- Nr części producenta:
- IRFPC50APBF
- Producent:
- Vishay
4 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
7 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
23,63 zł
(bez VAT)
29,06 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 9 | 23,63 zł |
| 10 - 49 | 22,19 zł |
| 50 - 99 | 20,07 zł |
| 100 - 249 | 18,90 zł |
| 250 + | 17,73 zł |
- Nr art. RS:
- 542-9844
- Nr części producenta:
- IRFPC50APBF
- Producent:
- Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 11 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 600 V |
| Typ opakowania | TO-247AC |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 580 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 180 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Długość | 15.87mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Szerokość | 5.31mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 70 nC przy 10 V |
| Wysokość | 20.7mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 542-9844
- Nr części producenta:
- IRFPC50APBF
- Producent:
- Vishay