MOSFET N-kanałowy 5.4 A TO-247AC 800 V Pojedynczy 150 W 2 omy
- Nr art. RS:
- 542-9888
- Nr części producenta:
- IRFPE40PBF
- Producent:
- Vishay
27 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
32 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
4,72 zł
(bez VAT)
5,81 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 + | 4,72 zł |
- Nr art. RS:
- 542-9888
- Nr części producenta:
- IRFPE40PBF
- Producent:
- Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, od 600 V do 1000 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 5.4 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 800 V |
| Typ opakowania | TO-247AC |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 2 omy |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 150 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Długość | 15.87mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 130 nC przy 10 V |
| Szerokość | 5.31mm |
| Wysokość | 20.7mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 542-9888
- Nr części producenta:
- IRFPE40PBF
- Producent:
- Vishay