MOSFET N-kanałowy 202 A TO-220AB 40 V Pojedynczy 333 W 4 miliomy
- Nr art. RS:
- 543-1083
- Nr części producenta:
- IRF1404PBF
- Producent:
- Infineon
23 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
268 Dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Cena netto za szt.
8,51 zł
(bez VAT)
10,47 zł
(z VAT)
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,51 zł |
| 10 - 49 | 6,98 zł |
| 50 - 99 | 6,58 zł |
| 100 - 249 | 6,10 zł |
| 250 + | 5,61 zł |
- Nr art. RS:
- 543-1083
- Nr części producenta:
- IRF1404PBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o mocy 40 V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 202 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Seria | HEXFET |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 4 miliomy |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 333 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 131 nC przy 10 V |
| Wysokość | 8.77mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |