MOSFET N-kanałowy 200 mA SOT-346 60 V SMD Pojedynczy 200 mW 1 om
- Nr art. RS:
- 601-1961
- Nr części producenta:
- 2SK1062(F)
- Producent:
- Toshiba
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Cena netto za szt. (opak. á 10)
2,87 zł
(bez VAT)
3,53 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 10 - 40 | 2,87 zł | 28,71 zł |
| 50 - 240 | 2,21 zł | 22,14 zł |
| 250 - 990 | 2,17 zł | 21,69 zł |
| 1000 - 1990 | 2,10 zł | 20,97 zł |
| 2000 + | 2,04 zł | 20,43 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 601-1961
- Nr części producenta:
- 2SK1062(F)
- Producent:
- Toshiba
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 200 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Seria | 2SK |
| Typ opakowania | SOT-346 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1 om |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.5V |
| Maksymalna strata mocy | 200 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 2.9mm |
| Szerokość | 1.5mm |
| Wysokość | 1.1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 601-1961
- Nr części producenta:
- 2SK1062(F)
- Producent:
- Toshiba